Nowy typ obudowy tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące

Nowy typ obudowy tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące
Niezawodne mocowanie hermetycznych obudów tranzystorów dużej mocy do płytek PCB jest sporym wyzwaniem dla projektantów systemów przeznaczonych do pracy w przestrzeni kosmicznej. Często w tego typu aplikacjach mogą pojawiać się naprężenia związane ze znaczną różnicą współczynników rozszerzalności termicznej zastosowanych materiałów. Problem ten rozwiązano w nowo zaprojektowanej przez Infineona obudowie SupIR-SMD z kwalifikacją JANS MIL-PRF-19500. Jest to innowacyjna obudowa direct-to-PCB, zapewniająca większą o ponad 30% gęstość prądu i znacznie szybsze odprowadzanie ciepła do płytki drukowanej dzięki odwróconej konstrukcji w stosunku do struktur typu dead bug, w której wyeliminowano druciki połączeniowe pomiędzy strukturą półprzewodnikową i terminalami lutowniczymi. Ponadto pozwala zredukować o 37% powierzchnię montażową oraz o 34% masę w porównaniu z konstrukcjami stosowanymi wcześniej. Obecnie w obudowie SupIR- -SMD produkowanych jest 14 typów tranzystorów n- i p-kanałowych o napięciu przebicia do 250 V i maksymalnym prądzie drenu 75 A. Znajdują się one na liście QPL (Qualified Products List) podzespołów zatwierdzonych do pracy w przestrzeni kosmicznej.
 

Comments